Fedezd fel a Samsung legújabb 9. generációs V-NAND memóriachipeit!
Ismerd meg a Samsung legújabb 9. generációs V-NAND memóriachipeinek lenyűgöző előnyeit, melyek 50%-kal nagyobb bit sűrűséget, 33%-kal gyorsabb adatátviteli sebességet és 10%-kal jobb ene
Samsung bejelentette, hogy elkezdte tömeges gyártását az új, 9. generációs függőleges NAND (V-NAND) memóriachipeknek. Ezeknek az új termékeknek 50%-kal magasabb bit sűrűségük van, mint az 8. generációs termékeknek.
Emellett a 9. generációs termékek támogatják az új NAND flash interfészt, amelyet "Toggle 5.1"-nek neveznek, és akár 3,2 Gbps adatátviteli sebességet tesz lehetővé, ez 33%-kal magasabb, mint az előző generációké. Mindemellett az új chipek 10%-kal hatékonyabbak az energiát illetően.
A 9. generációs V-NAND sok munkát igényelt. A Samsung új innovációkat használt, mint a cellainterferencia elkerülését és a cellaélettartam-hosszabbítást. Emellett a cég kihasználta fejlett csatorna lyukmarás technológiáját...